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复旦大学新一代集成电路技术集成攻关大平台2023年招聘专任副研究员

发布时间：2023-10-20 15:56信息来源：复旦大学
招聘岗位 专任副研究员1名（所属任务：3-5nm）
岗位职责 1.FinFET及GAA器件的设计及工艺整合。
2.SiGe材料外延工艺开发。
3.面向先进工艺的DTCO技术研究。
招聘条件 1.拥护党和国家的各项方针政策，遵守法律法规，品行端正；身体健康，心理素质良好；爱岗敬业，恪守学术规范和职业道德。
2.具有微电子、物理、材料相关专业/学科博士学位。
3.年龄一般在40周岁以下。
4.须具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平，或任务特需的，具有中级专业技术职务任职资格（获聘后按中级专业技术职务任职资格认定）
5.精通半导体器件物理以及集成电路工艺，具有丰富的半导体器件和工艺开发经验，包括EBL/刻蚀/外延/ALD/CVD，器件/工艺仿真等。
6.具有重大项目研究经历者优先。
招聘范围 校内、外
岗位待遇 1.与学校签订劳动合同，可申请学校相关住房。
2.提供有市场竞争力的薪资待遇和优越的科研环境。
3.符合相关条件的，可按照学校规定申请子女入托入学。
应聘程序 1.应聘者发送个人简历（包括学习研究经历、发表论文列表、既往研究成果、未来研究计划等）至qyx@fudan.edu.cn,抄送到xu_min@fudan.edu.cn（邮件标题注明：应聘某某岗位+本人姓名+硕博英才网）。
2.择优安排面试。
3.拟聘用者报学校审批。
联系方式 邮箱：xu_min@fudan.edu.cn
截止日期 2023年12月31日
备注 订立聘用合同或者劳动合同以前有下列情形的，不予录用：
（1）受过刑事处罚、行政拘留处罚，或者因涉嫌违法正在接受有关部门调查，尚未作出结论的；
（2）受到党（团）纪、政纪处分，处分尚未解除，或者因涉嫌违纪正在接受有关单位调查，尚未作出结论的；
（3）违反高等学校教师职业行为规范的；
（4）在应聘过程中违背诚实信用或者社会公序良俗的；
（5）其他不符合聘用条件的情形。

原文出处：

https://hr.fudan.edu.cn/af/09/c15365a634633/page.htm

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